博士高端论坛 第八期:基于肖特基接触的高性能氧化物三极管

2020-12-15 11:14:01  点击:


报告题目:

基于肖特基接触的高性能氧化物三极管

报告内容:

氧化物半导体是一种新型的半导体材料,具有高迁移率、高透光率及沉积温度低等优点。目前基于铟镓锌氧(IGZO)的薄膜三极管已被广泛应用于显示器的像素控制电路中。然而,氧化物半导体薄膜三极管仍然存在一些较难攻克的问题,比如:由于短沟道效应,沟道宽度很难突破3 µm;由于漏极电压产生的有效沟道宽度变化,使三极管的输出电流无法完全的饱和;由于禁带中的缺陷,导致氧化物三极管在偏压、光照、高温条件下的稳定性低。针对以上问题,我们通过结合肖特基二极管与薄膜三极管,提出了一种基于IGZO的源栅三极管(SGT)结构,并通过仿真和理论推导,首次给出数学公式,并提出了器件设计原理。通过一系列优化,其本征增益大幅提高,优于传统三极管数个量级,沟道长度可以达到360 nm,工作电压极低,并且具有极高的稳定性。这些优点使IGZO SGT有望在超低功率传感器,VR显示器面板等新型应用中取代传统薄膜三极管。

报告人:

张嘉炜,教授、博导,山东大学微电子学院

报告时间:

2020年12月16日,下午14:30

地点:闻天南楼208

报告人简介:

张嘉炜,教授、博士生导师。本科毕业于上海交通大学物理系,硕士、博士研究生分别毕业于英国曼彻斯特大学光子所与电子电气工程学院。随后在英国曼彻斯特大学电子电气工程学院与英国国家石墨烯中心从事博士后工作。2019年9月加入到山东大学微电子学院任教授职位,并获得山东省泰山学者青年项目与山东大学齐鲁青年学者项目支持。主要研究方向为氧化物半导体器件与太赫兹二维材料电子器件。目前在包括Nature Communications, PNAS, APL, IEEE EDL等期刊中发表近40篇文章。

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