师资力量

杨志伟

姓名:杨志伟

职称:兼职教授

学历:博士

学位:博士

毕业院校:山东大学

学术兼职:微电子工艺,宽禁带氧化物半导体材料

半导体器件的可靠性研究

 

主要经历

1988------1992 山东大学物理系  本科

1992------1994 威海北洋电气集团公司  助理工程师

1994------1997  山东大学物理系     硕士研究生

19977月获理学硕士学位

1997------2000   山东大学物理系光电材料研究所  博士研究生

20007月获理学博士学位

2000------2001   威海市经济贸易委员会

2001-----2003    School of EEE, Nanyang Technological University, 博士后

2003年至今     威海高新技术开发区经济发展局

在硕士、博士、博士后研究期间,先后在半导体功率器件的热学性质测量、大功率半导体器件设计、TCO透明导电膜的制备工艺、电共沉积法制备太阳电池、有机电致发光、深亚微米铜互连工艺、可靠性等方向在国内、国际刊物上发表论文二十篇,有多篇被SCIEI收录。

 

发表文章

1. Barrier layer effects on reliabilities of copper metallization, Z.W. Yang, D.H. Zhang, C.Y. Li, C.M. Tan, K. Prasad, Thin Solid films, 462-463, 288, (2004)

2. Bias Voltage Dependence of Properties for Depositing Transparent Conducting ITO films on Flexible Substrate, ZWYang, SHHan, TLYang, L.Ye, DHZhang, HLMa,and CFCheng, Thin Solid Films, 366 , 4, (2000)

3. ITO Films Deposited on Water-cooled Flexible Substrate by Bias RF Magnetron Sputtering, ZWYang, SHHan , TLYang, J.Ma, HLMa, Applied Surface Science, 161, 279, (2000)